V+ = +3 V, ±10%; V- = 0V; VCM = 1.5 V; Unless otherwise noted, T<" />
參數(shù)資料
型號: BU7495HFV-TR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC OP AMP I/O CMOS 5-HVSOF
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
放大器類型: 通用
電路數(shù): 1
輸出類型: 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率: 5 V/µs
增益帶寬積: 4kHz
電流 - 輸入偏壓: 1pA
電壓 - 輸入偏移: 1000µV
電流 - 電源: 650µA
電流 - 輸出 / 通道: 14mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-665
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 5-HVSOF
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: BU7495HFV-DKR
BU7495HFV-DKR-ND
BU7495HFVDKR
CS3013
4
DS736F3
10/15/09
1.2
3 V Electrical Characteristics
V+ = +3 V, ±10%; V- = 0V; VCM = 1.5 V; Unless otherwise noted, TA = 25 C (See Note 5).
Notes: 5. Symbol “” denotes specification applies over -40 to +125
° C.
6. This parameter is guaranteed by design and laboratory characterization.
7. Guaranteed within the output limits of (V+ – 0.2 V) to (V- + 0.2 V).
8. Specifies the worst case drive voltage relative to the supply rail under stated load conditions.
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Input Offset Voltage
-±10
±20
V
Average Input Offset Drift
-
±0.01
±0.05
V/C
Input Bias Current
-
±110
-
±150
±1.0
pA
nA
Input Offset Current
-
±220
-
±300
±2.0
pA
nA
Input Noise Voltage Density
RS = 100 Ω, f0 = 1 Hz
RS = 100 Ω, f0 = 1 kHz
-
22
-
Input Noise Voltage
0.1 to 10 Hz
-
460
-
nVp-p
Input Noise Current Density
f0 = 1 Hz
-
100
-
Input Noise Current
0.1 to 10 Hz
-
1.9
-
pAp-p
Input Voltage Range
V-
-
V+
V
Common Mode Rejection Ratio (dc)
105
120
-
dB
Power Supply Rejection Ratio
100
120
-
dB
Large Signal Voltage Gain
(Note 7)RL = 2 kΩ to V+/2
-
112
145
135
-
dB
Output Voltage Swing
RL = 2 kΩ to V+/2
(Note 8)RL = 100 kΩ to V+/2
(V+ – 200)
(V+ – 20)
-
(V- + 200)
(V- + 20)
mV
Slew Rate
RL = 2 k, 100 pF
-
0.25
-
V/s
Overload Recovery Time
-
40
-
s
Supply Current
-
1.0
1.25
mA
Chopping Frequency
-
125
-
kHz
Input Capacitance
Differential
Common Mode
-
1.5
10
-
pF
nV/ Hz
fA/ Hz
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