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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK436-200B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | POWERLINE: RP20-S_DEW - 4:1 Wide Input Voltage Range- 20 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- Ul 1950 Component Recognised- Standard 50.8 x40.6x10.2mm Package- Efficiency to 84% |
| 中文描述： | 17 A, 200 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | BUK436-200B |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK436W-200A/B
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 19 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
10
20
30
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =40
160
BUK456-200
0
1
2
BUK456-200A
VSDS / V
IF / A
40
30
20
10
0
Tj / C = 150
25
July 1997
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK445-200A | PowerMOS transistor |
| BUK445-200B | PowerMOS transistor |
| BUK452-60A | PowerMOS transistor |
| BUK452-60B | PowerMOS transistor |
| BUK453-100A | PowerMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK436-50A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK436-50B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK436-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK436-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK436-800A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
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