參數(shù)資料
型號: BUK456-1000B
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: PowerMOS transistor
中文描述: 3.1 A, 1000 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大小: 61K
代理商: BUK456-1000B
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK456-1000B
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 3.5 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
10
20
30
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =200
800
BUK456-1000
0
1
2
BUK456-1000A
VSDS / V
IF / A
10
8
6
4
2
0
25 C
150 C
May 1995
5
Rev 1.200
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PDF描述
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