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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK482-100A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 1.8 A, 100 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | BUK482-100A |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK482-100A
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 1.8 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
amb
); conditions: I
D
= 1.8 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
2
4
6
8
10
12
10
8
6
4
2
0
VGS/ V
QG/ nC
80
VDS/ V = 20
20
40
60
80
Tamb/ C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
Normalised Avalanche Energy
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
VSDS/ V
2
BUK482-100A
7
6
5
4
3
2
1
0
IF/ A
25
Tj/ C = 150
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
January 1998
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK482-200A | PowerMOS transistor |
| BUK482-60A | PowerMOS transistor |
| BUK542-100A | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK542-100B | PowerMOS transistor Logic level FET |
| BUK542-60A | PowerMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK482-100AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | SOT-223 |
| BUK482-200A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| BUK482-60A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| BUK483-60A | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| BUK539-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-93 |
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