參數資料
型號: BUK657-600B
英文描述: N-Channel Enhancement MOSFET
中文描述: N溝道MOSFET的增強
文件頁數: 4/5頁
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代理商: BUK657-600B
相關PDF資料
PDF描述
BUK657-600C N-Channel Enhancement MOSFET
BUK7105-40ATE TrenchPLUS standard level FET
BUK7107-40ATC TrenchPLUS standard level FET
BUK7107-55ATE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
BUK7109-75AIE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
BUK657-600C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK6607-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V72ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,72A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,72A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
BUK6607-55C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6607-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V72ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,72A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,72A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
BUK6607-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube