參數(shù)資料
型號： BUK7107-40ATC
英文描述： TrenchPLUS standard level FET
中文描述： TrenchPLUS標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大小： 341K
代理商： BUK7107-40ATC
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
6 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Ld
internal drain inductance
measured from upper edge
of drain mounting base to
centre of die
-
2.5
-
nH
Ls
internal source inductance
measured from source lead
to source bond pad
-
7.5
-
nH
Source-drain diode
VSD
source-drain (diode forward)
voltage
IS = 40 A; VGS =0V;
-
0.85
1.2
V
trr
reverse recovery time
IS =20A; dIS/dt = 100 A/s
VGS = 10 V; VDS =30V
-96
-
ns
Qr
recovered charge
-
224
-
nC
Table 4:
Characteristics…continued
Tj =25 °C unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BUK7107-55AIE /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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