參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7524-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 47 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
文件大?。?/td> 314K
代理商： BUK7524-55A
Philips Semiconductors
BUK7524-55A; BUK7624-55A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 02 — 01 March 2001
7 of 15
9397 750 08029
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-60
-20
20
60
100
140
Tj (oC)
180
VGS(th)
(V)
max.
typ.
min
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
0
1
2
3
4
5
max
typ
min
VGS (V)
ID
(A)
03nb68
0
5
10
15
20
25
0
20
40
60
80
ID (A)
gfs
03nb73
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
10-2
10-1
1
10
102
VDS (V)
C (pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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