參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9107-55ATE
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
中文描述： 晶體管 | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426封裝
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代理商： BUK9107-55ATE
Philips Semiconductors
BUK9107-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 22 January 2002
5 of 16
9397 750 08724
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to
ambient
mounted on printed circuit board;
minimum footprint; SOT426 package
-
50
K/W
Rth(j-mb)
thermal resistance from junction to
mounting base
-
0.55
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ne76
Single Shot
0.2
0.1
0.05
0.02
10-3
10-2
10-1
1
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
tp(s)
Z th(j-mb)
(K/W)
δ = 0.5
tp
T
P
t
T
δ =
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