參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9214-75B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 71 A, 75 V, 0.0155 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, D-PAK-3
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 234K
代理商： BUK9214-75B
Philips Semiconductors
BUK9214-75B
TrenchMOS logic level FET
Objective data
Rev. 01 — 10 December 2002
2 of 10
9397 750 10801
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
Min
-
-
-
-
Max
75
75
±
15
71
Unit
V
V
V
A
R
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V;
Figure 2
and
3
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 5 V;
Figure 2
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
mb
= 25
°
C;
Figure 1
-
-
50
285
A
A
I
DM
peak drain current
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
DR
I
DRM
Avalanche ruggedness
E
DS(AL)S
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
-
55
55
150
+175
+175
W
°
C
°
C
reverse drain current (DC)
peak reverse drain current
T
mb
= 25
°
C
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
-
-
71
285
A
A
non-repetitive avalanche energy
unclamped inductive load; I
D
= 75 A;
V
DS
≤
75 V; V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
;
starting T
j
= 25
°
C
-
131
mJ
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