參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9240-100A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直|第33A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： BUK9240-100A
Philips Semiconductors
BUK9240-100A
TrenchMOS logic level FET
Product specication
Rev. 01 — 03 October 2000
7 of 13
9397 750 07573
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
ID = 1 mA; VDS =VGS
Tj =25 °C; VDS =VGS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
Tj =25 °C; VDS =25V
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
max
typ
min
V
GS(th)
T
j
(
o
C)
(V)
03aa36
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
max
typ
min
I
D
V
GS
(V)
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
(A)
03na65
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1020
3040
ID(A)
gfs
(S)
03na68
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0.01
0.1
1
10
100
VDS (V)
C (pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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