參數(shù)資料
型號： BUK9509-75A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商： BUK9509-75A
Philips Semiconductors
BUK9509-75A; BUK9609-75A
TrenchMOS logic level FET
Product specication
Rev. 02 — 06 November 2000
3 of 15
9397 750 07656
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
VGS ≥ 4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
Tmb =25 °C; IDM single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03na19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
200
P
der
(%)
Tmb (
o
C)
03aa24
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
200
I
der
(%)
T
mb
(
o
C)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
----------------------
100%
×
=
I
der
I
D
I
D25 C
°
()
-------------------
100%
×
=
03nb44
1
10
100
1000
1
10
100
VDS (V)
ID
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
RDSon = VDS/ ID
1 ms
tp = 10 us
100 us
tp
T
P
t
T
δ =
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