型號: | BUL45A |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 400V五(巴西)總裁| 3A條一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 96K |
代理商: | BUL45A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BUL46B | NPN |
BUS-66300II | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, QIP78 |
BUS-66312-B | 1 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, CPGA100 |
BVB01/A0120/B1 | 1A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR, SOLDER |
BVB01/A0120/D3 | 1A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR, SOLDER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BUL45D2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUL45D2/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network |
BUL45D2G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUL45F | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 5.0 AMPERES 700 VOLTS 35 and 75 WATTS |
BUL45G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 400V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |