參數(shù)資料
型號： BULB39D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： BULB39D
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
1.78
70
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 850 V
V
CE
= 850 V T
j
= 125
o
C
100
500
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
EB
= 9 V
100
I
C
= 100 mA L = 25 mH
450
V
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2.5 A I
B
= 0.5 A
0.13
0.5
1.1
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2.5 A I
B
= 0.5 A
1.1
1.3
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 5 A V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
4
10
V
CEW
Maximum Collector
Emitter Voltage
Without Snubber
I
C
= 6 A R
BB
= 0
V
BB
= -2.5 V L = 50
μ
H
t
p
= 10
μ
s
I
C
= 2.5 A I
B(on)
= 0.5 A
V
BE(off)
= -5 V R
BB
= 0
V
CL
= 300 V L = 1 mH
I
C
= 2 A
450
V
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
0.7
50
1.5
100
μ
s
ns
V
f
Diode Forward Voltage
1.5
V
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
BULB39D
2/6
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BULB49D-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching NPN power transistors
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