參數(shù)資料
型號： BULD1101E-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High voltage fast-switching NPN Power Transistor
中文描述： 高壓快速開關(guān)NPN電源晶體管
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 258K
代理商： BULD1101E-1
BULD1101E
Electrical characteristics
3/11
2
Electrical characteristics
(T
case
= 25°C unless otherwise specified)
Table 3.
Electrical characteristics
Note (1) Pulsed duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ. Max.
Unit
I
CES
Collector cut-off current
(V
BE
=0V)
V
CE
=1100V
100
μ
A
V
(BR)EBO
Emitter-base
breakdown voltage (I
C
=
0)
I
E
=1mA
12
24
V
V
CEO(sus) (1)
Collector-emitter
sustaining voltage
(I
B
= 0)
I
C
=100mA
450
V
V
CE(sat) (1)
Collector-emitter
saturation voltage
I
C
=1A I
B
=0.2A
I
C
=1A I
B
=0.2A T
J
=125°C
0.25
0.6
1
1.5
V
V
V
BE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
I
C
=1A I
B
=0.2A
1.5
V
h
FE
DC current gain
I
C
=0.25A V
CE
=5V
I
C
=0.25A V
CE
=5V T
J
=125°C
I
C
=2A V
CE
=5V
I
C
=2A V
CE
=5V T
J
=125°C
20
23
6
4
38
44
10
7
80
85
18
16
t
s
t
f
Resistive load
Storage time
Fall time
V
CC
=125V I
C
=2.5A
I
B1
= -I
B2
=0.5A t
p
= 300
μ
s
V
BE(off)
=-5V (see fig.10)
400
2
700
μ
s
ns
E
ar
Repetitive avalanche
energy
L =2mH C =1.8nF
I
BR
≤
2.5A (see fig.11)
6
mJ
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PDF描述
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