參數(shù)資料
型號(hào)： BULD741
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High voltage fast-switching NPN power transistor
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： BULD741
BULD741
Electrical characteristics
3/11
2
Electrical characteristics
(T
case
= 25°C unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Note (1) Pulsed duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector cut-off current
(V
BE
=0V)
V
CE
=1050V
0.2
10
μ
A
I
CEO
Collector cut-off current
(I
B
=0)
V
CE
=400V
10
250
μ
A
V
(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (I
C
= 0)
I
E
=1mA
15
19
24
V
V
CEO(sus) (1)
Collector-emitter
sustaining voltage
(I
B
= 0)
I
C
=10mA
400
450
V
V
CE(sat) (1)
Collector-emitter
saturation voltage
I
C
=0.7A I
B
=0.14A
I
C
=2A I
B
=0.6A
0.15
0.5
0.5
1.5
V
V
V
BE(sat) (1)
Base-emitter saturation
voltage
I
C
=2A I
B
=0.6A
1.1
1.5
V
h
FE
DC current gain
I
C
=0.1A V
CE
=5V
I
C
=0.45A V
CE
=3V
48
25
70
35
100
50
t
s
t
f
Resistive load
Storage time
Fall time
V
CC
=125V I
C
=1A
I
B1
= -I
B2
=0.2A t
p
= 300
μ
s
V
BE(off)
=-5V
2.5
350
3.5
500
μ
s
ns
E
ar
Repetitive avalanche
energy
L =2mH C =1.8nF
V
BE(off)
=-5V
5
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BULD741-1 High voltage fast-switching NPN power transistor
BULD741T4 High voltage fast-switching NPN power transistor
BULD742C High voltage fast-switching
BULD742CT4 High voltage fast-switching
BULK128D High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BULD741T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BULD742C 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage fast-switching
BULD742CT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI VLTG FAST SWITCH NPN PWR TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BULD85KC 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE
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