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參數(shù)資料
| 型號： | BUW50 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開關(guān)晶體管) |
| 中文描述： | 硅NPN開關(guān)晶體管（硅npn型開關(guān)晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | BUW50 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 100V I
C
= 24A
V
BB
= -5V I
B1
= 3A
R
B
= 0.83
T
p
= 30
μ
s
0.33
0.75
0.15
0.6
1.2
0.3
μ
s
μ
s
μ
s
t
s
t
f
t
t
t
c
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
Tail Time in Turn-on
Crossover Time
V
CC
= 100V V
clamp
= 125V
I
C
= 20A
I
B
= 2A
V
BB
= -5V R
B
= 1
.
3
L
C
= 0.25mH
0.85
0.09
0.04
0.16
1.4
0.2
0.05
0.3
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
t
s
t
f
t
t
t
c
Storage Time
Fall Time
Tail Time in Turn-on
Crossover Time
VCC = 100V V
clamp
= 125V
I
C
= 20A
I
B
= 2A
V
BB
= -5V R
B
= 1
.
3
L
C
= 0.25mH T
j
=100
o
C
1.2
0.17
0.07
0.3
1.7
0.3
0.1
0.5
t
s
t
f
t
t
Storage Time
Fall Time
Tail Time in Turn-on
V
CC
= 100V V
clamp
= 125V
I
C
= 20A
I
B
= 2A
V
BB
= 0 R
B
= 4.7
L
C
= 0.25mH
2.1
0.7
0.28
t
s
t
f
t
t
Storage Time
Fall Time
Tail Time in Turn-on
V
CC
= 100V V
clamp
= 125V
I
C
= 20A
I
B
= 2A
V
BB
= 0 R
B
= 4.7
L
C
= 0.25mH T
j
=100
o
C
3.2
1.2
0.55
μ
s
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
=
2 %
BUW50
3/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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