參數(shù)資料
型號(hào)： BUX87
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Silicon Power Transistor(高電壓硅功率晶體管)
中文描述： 高壓硅功率晶體管（高電壓硅功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： BUX87
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3.12
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEV
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
V
CE
= 1000 V
V
CE
= 1000 V
T
j
= 125
o
C
100
1
μ
A
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Collector-Base
Sustaining Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
EB
= 5 V
1
mA
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
450
V
V
BEO
I
C
= 10 mA
5
V
V
CE(sat)
I
C
= 0.1 A
I
C
= 0.2 A
I
B
= 0.01 A
I
B
= 0.02 A
0.8
1
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
I
C
= 0.2 A
I
B
= 0.02 A
1
V
h
FE
I
C
= 50 mA
I
C
= 40 mA
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
12
50
f
T
Transition Frequency
I
C
= 50 mA
V
CE
= 10 V f=1MHz
20
MHz
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 250 V
I
B1
= 40 mA
t
p
= 20
μ
s
I
C
= 200 mA
I
B2
= -80 mA
4.5
0.5
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
DeratingCurves
BUX87
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX98AP High Power NPN Silicon Transistor(高功率NPN硅晶體管)
BUX98C HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
BUXD87T HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR
BUXD87 HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR
BUXD87DPAK HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BUX87D1(IW34) 制造商:STMicroelectronics 功能描述:High voltage silicon power transistor
BUX87P 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-82 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor,BUX87P 0.5A
BUX87P,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX87P/SOT82/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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