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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BYV1060 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:19 x 34; Jacket Color:Brown; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1180; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/5 Type EE RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 小信號(hào)肖特基二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | BYV1060 |
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
R
*
T
j
= 25
°
C
V
R
= V
RRM
0.5
mA
T
j
= 100
°
C
10
V
F
*
I
F
= 1A
T
j
= 25
°
C
0.7
V
I
F
= 3A
1
STATIC CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
T
j
= 25
°
C
V
R
= 0
150
pF
T
j
= 25
°
C
V
R
= 5V
40
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Forward current flow in a schottky rectifier is due to
majority carrier conduction. So reverse recovery is
not affected by stored charge as in conventional PN
junction diodes.
Nevertheless, when the device switches from for-
ward biased condition to reverse blocking state,
current is required to charge the depletion capaci-
tance of the diode.
This current depends only of diode capacitance and
external circuit impedance. Satisfactory circuit be-
haviour analysis may be performed assuming that
schottky rectifier consists of an ideal diode in paral-
lel with a variable capacitance equal to the junction
capacitance (see fig. 5 page 4/4).
2/4
* Pulse test: t
p
≤
300
μ
s
δ
<
2%
.
Figure 1. Forward current versus forward
voltage at low level (typical values).
Figure 2. Forward current versus forward
voltage at high level (typical values).
BYV 10-60
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV10-60 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:36; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight |
| BYV255V-200 | HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| BYV255V | ECONOLINE: RQS & RQD - 1kVDC Isolation- Internal SMD Construction- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Efficiency to 80% |
| BYV52-200 | HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| BYV52PI-200 | HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BYV10-60 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 DO-41 1A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| BYV10-600P | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Ultrafast power diode |
| BYV10-600PQ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BYV10-600P/TO-220AC/RAILH// - Rail/Tube |
| BYV10ED-600PJ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:2V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
| BYV10EX-600PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:2V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 全封裝，隔離接片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
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