型號(hào): | BZW03-C68/41112 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件頁(yè)數(shù): | 6/7頁(yè) |
文件大小: | 213K |
代理商: | BZW03-C68/41112 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BZW03-C75/30112 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
BZW03-C75/30133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
BZW03-C75/31113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
BZW03-C75/33133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
BZW03-C75/40133 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BZW03C68-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 68 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZW03C68-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 68 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZW03C6V8 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes with Surge Current Specification |
BZW03C6V8-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZW03C6V8-TR | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ZENER DIODE SOD64-E2 |