- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄236593 > BZW03-C9V1/30112 (NXP SEMICONDUCTORS) 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BZW03-C9V1/30112 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 213K |
| 代理商： | BZW03-C9V1/30112 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW03-C9V1/30113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C9V1/31113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C9V1/33113 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C9V1/50112 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| BZW03-C7V5/20112 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZW03C9V1-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZW03C9V1-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZW03D | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
| BZW03D10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
| BZW03D100 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。