參數(shù)資料
型號(hào)： BZW04-48B
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
封裝： PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： BZW04-48B
BZW04P-5V8 thru BZW04-376
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88316
4
08-Jul-03
0
25
50
75
100
0
75
25
50
100
125
150
175
200
P
eak
Pulse
P
o
w
er
(P
PP
)or
Current
(I
PPM
)
Der
ating
in
P
ercentage
,%
TA -- Ambient Temperature (
°C)
1
5
10
50
100
Fig. 2 -- Pulse Derating Curve
Fig. 6 -- Maximum Non-Repetitive Forward
Surge Current Uni-Directional Only
I FSM
-
-P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 60 Hz
C
J-
-J
unction
Capacitance
(pF)
10
100
1000
10,000
100
10
1
1000
V(BR) -- Breakdown Voltage (V)
TJ = 25
°C
f = 1.0MHz
Vsig = 50mVp-p
10
50
100
200
TJ = TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDEC Method)
Measured at
Stand-Off
Voltage, VWM
Measured at
Zero Bias
td
Fig. 3 -- Pulse Waveform
PM
(A
V)
,Steady
State
P
o
w
er
Dissipation
(W)
TJ = 25
°C
Pulse Width (td) is defined
as the point where the
peak current decays to
50% of IPPM
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t -- Time (ms)
Fig. 5 -- Steady State Power Derating Curve
0
50
100
150
I PPM
--
P
eak
Pulse
Current,
%
I
RSM
tr = 10
sec.
Half Value – IPPM
2
10/1000
sec. Waveform
as defined by R.E.A.
Peak Value
IPPM
0
0.25
0.50
0.75
1.00
0
75
25
100
125
150
175
200
Fig. 7 --Typical Reverse Leakage Characteristics
TL -- Lead Temperature (
°C)
50
1.6 x 1.6 x .040"
(40 x 40 x 1mm)
Copper Heat Sinks
I D
--
Instantaneous
Re
v
erse
Leakage
Current
(
A)
0.01
0.1
10
100
1
0
100
200
V(BR) -- Breakdown Voltage (V)
300
400
500
Measured at Devices
Stand-off Voltage, VWM
TA = 25
°C
L = 0.375" (9.5mm)
Lead Lengths
60 HZ Resistive or
Inductive Load
Fig. 4 -- Typical Junction Capacitance
0.1
s
1.0
s10s
100
s
1.0ms
10ms
P
PPM
--
P
eak
Pulse
P
o
w
er
(kW)
100
10
1
0.1
td -- Pulse Width (sec.)
Fig. 1 – Peak Pulse Power Rating Curve
Non-repetitive Pulse
Waveform shown in Fig. 3
TA = 25°C
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZW04-9V4 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
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BZW04P110B 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
BZW04-299BRL 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZW04-48B A0G 功能描述:TVS DIODE 77VC 5.2A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:BZW04 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:47.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:53.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.2A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BZW04-48B B0G 功能描述:TVS DIODE 77VC 5.2A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:BZW04 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:47.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:53.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.2A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BZW04-48B R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 47.8V 400W 2-Pin DO-41 T/R
BZW04-48B R0G 功能描述:TVS DIODE 77VC 5.2A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:BZW04 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:47.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:53.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.2A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
BZW04-48B R1G 功能描述:TVS DIODE 77VC 5.2A IPP DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:BZW04 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:47.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:53.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.2A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
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