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參數(shù)資料
| 型號： | BZW04-58B |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(400W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(雙向)) |
| 中文描述： | TRANSIL二極管（400W，用于過電壓保護的TRANSIL二極管（雙向），高過電壓保護） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | BZW04-58B |
0.001
0.01
0.1
1
10
100
tp (ms ) EXPO.
1E3
1E2
1E1
1E5
1E4
P
(W)
PP
Tj initial = 25
°C
Fig. 2 : Peak pulse power versus exponential pulse duration.
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10
100
BWZ04 5V8
BWZ04 8V5
BWZ04 33
BWZ04 213
BWZ04 376
V(V)
CL
Ipp (A)
t
%Ipp
100
50
0
t r
t< 10
s
r
t
-
Tj initial = 25
°C
Fig. 3 : Clamping voltage versus peak pulse current.
Exponentialwaveform tp =20
s________
tp = 1 ms-------------
tp = 10 ms...............
Note : The curves of the figure 3 are specified for a junction temperature of 25
°C before surge.
The given results may be extrapolated for other junction temperatures by using the following formula :
VBR = αT * (Tamb -25) * VBR (25°C).
For intermediate voltages, extrapolate the given results.
BZW04-xx
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PDF描述 |
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