參數(shù)資料
型號: BZW04P110
英文描述: High current MOSFET driver
中文描述: TRANSZORB瞬態(tài)電壓抑制器
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 120K
代理商: BZW04P110
BZW04-xx
3/6
Types
I
RM
@ V
RM
V
BR
@
min
I
R
V
CL
@ I
PP
max
10/1000
μ
s
V
V
CL
@ I
PP
max
8/20
μ
s
V
α
T
max
C
typ
note2
note3
10
-4
/°C
note4
Unidirectional
Bidirectional
μ
A
V
V
mA
A
A
pF
BZW04-273
BZW04-273B
1
273
304
1
438
1.2
564
4.0
11.0
85
BZW04-299
BZW04-299B
1
299
332
1
482
0.9
618
3.7
11.0
80
BZW04-342
BZW04-342B
1
342
380
1
548
0.9
706
3.2
11.0
75
BZW04-376
BZW04-376B
1
376
418
1
603
0.8
776
3.0
11.0
70
Note 2 :
Note 3 :
Note 4 :
Pulse test: tp< 50 ms.
VBR=
α
T*(Tamb- 25)*VBR(25°C)
VR= 0 V, F = 1 MHz. For bidirectional types,
capacitance value is divided by 2
Fig. 1:
Peak pulse power dissipation versus initial
junction temperature (printed circuit board).
10
s
1000
s
% I
PP
50
0
t
PULSE WAVEFORM 10/1000
s
100
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PDF描述
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參數(shù)描述
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