參數(shù)資料
型號: BZW50-56B
廠商: 意法半導體
英文描述: TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(雙向))
中文描述: TRANSIL二極管(5000瓦,用于過電壓保護的TRANSIL二極管(雙向),高過電壓保護)
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大小: 77K
代理商: BZW50-56B
I
I F
V F
V
VCL VBR
VRM
I PP
I RM
V
Symbol
Parameter
VRM
Stand-off voltage
VBR
Breakdown voltage
VCL
Clamping voltage
IRM
Leakage current @ VRM
IPP
Peak pulse current
αT
Voltage temperature coefficient
VF
Forward voltage drop
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb =25
°C)
Types
IRM @VRM
VBR
@IR
VCL @IPP
αTC
max
min
max
typ
note2
10/1000
s
8/20
s
note3
note4
Unidirectional
Bidirectional
A
V
mA
VAVA
10
-4/°CpF
BZW50-10
BZW50-10B
5
10
11.1
1
18.8
266
23.4
2564
7.8
24000
BZW50-12
BZW50-12B
5
12
13.3
1
22
227
28
2143
8.4
18500
BZW50-15
BZW50-15B
5
15
16.6
1
26.9
186
35
1714
8.8
13500
BZW50-18
BZW50-18B
5
18
20
1
32.2
155
41.5
1446
9.2
11500
BZW50-22
BZW50-22B
5
22
24.4
1
39.4
127
51
1177
9.6
8500
BZW50-27
BZW50-27B
5
27
30
1
48.3
103
62
968
9.8
7000
BZW50-33
BZW50-33B
5
33
36.6
1
59
85
76
789
10
5750
BZW50-39
BZW50-39B
5
39
43.3
1
69.4
72
90
667
10.1
4800
BZW50-47
BZW50-47B
5
47
52
1
83.2
60.1
108
556
10.3
4100
BZW50-56
BZW50-56B
5
56
62.2
1
99.6
50
129
465
10.4
3400
BZW50-68
BZW50-68B
5
68
75.6
1
121
41
157
382
10.5
3000
BZW50-82
BZW50-82B
5
82
91
1
145
34
189
317
10.6
2600
BZW50-100
BZW50-100B
5
100
111
1
179
28
228
263
10.7
2300
BZW50-120
BZW50-120B
5
120
133
1
215
23
274
219
10.8
1900
BZW50-150
BZW50-150B
5
150
166
1
269
19
343
175
10.8
1700
BZW50-180
BZW50-180B
5
180
200
1
322
16
410
146
10.8
1500
Note 2 :
Pulse test: tp < 50 ms.
Note 3 :
VBR = αT * (Tamb - 25) * VBR(25°C)
Note 4 :
VR = 0 V, F = 1 MHz. For bidirectional types,
capacitance value is divided by 2.
Fig. 1: Peak pulse power dissipation versus initial
junction temperature (printed circuit board).
10 s
1000
s
%IPP
50
0
t
PULSE WAVEFORM 10/1000 s
10 0
BZW50-10,B/180,B
2/5
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PDF描述
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BZX55C10 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
BZX55C11.TR 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
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