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參數(shù)資料
| 型號： | BZX79-C16 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 硅表面貼裝齊納二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | BZX79-C16 |
2002 Feb 27
7
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
BZX79 series
Fig.3
Maximum permissible non-repetitive peak
reverse power dissipation versus duration.
handbook, halfpage
MBG801
3
1
duration (ms)
PZSM
(W)
10
10
2
10
1
10
1
(1)
(2)
(1) T
j
= 25
°
C (prior to surge).
(2) T
j
= 150
°
C (prior to surge).
Fig.4
Typical forward current as a function of
forward voltage.
handbook, halfpage
0.6
1.0
100
0
200
MBG781
0.8
VF (V)
IF
(mA)
T
j
= 25
°
C.
Fig.5
Temperature coefficient as a function of
working current; typical values.
handbook, halfpage
0
60
2
3
1
MBG783
20
40
IZ (mA)
SZ
(mV/K)
4V3
3V9
3V6
3V0
2V4
2V7
3V3
BZX79-B/C2V4 to BZX79-B/C4V3.
T
j
= 25 to 150
°
C.
Fig.6
Temperature coefficient as a function of
working current; typical values.
handbook, halfpage
0
20
16
0
5
5
MBG782
4
8
12
IZ (mA)
SZ
(mV/K)
4V7
12
11
10
9V1
8V2
7V5
6V8
6V2
5V6
5V1
BZX79-B/C4V7 to BZX79-B/C12.
T
j
= 25 to 150
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BZX79-C16 T/R | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER 5 PCT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX79-C16,113 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER 5 PCT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX79-C16,133 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER 5 PCT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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