參數(shù)資料
型號： BZX85C
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗1.3W的外延平面型齊納二極管)
中文描述： 硅外延平面穩(wěn)壓二極管（功率損耗為1.3W的外延平面型齊納二極管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BZX85C
BZX85C...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
2 (5)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85608
Type
V
Znom
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Tighter tolerances available on request:
BZX85B...
±
2% of V
Znom
相關PDF資料
PDF描述
BZY91C10 Zeners/Studs
BZY91C30R Zeners/Studs
BZY91C51 Zeners/Studs
BZY91C51R Zeners/Studs
BZY91C62 Zeners/Studs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BZX85C10 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 1W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85C10 A0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:3,000
BZX85C10 R0 功能描述:穩(wěn)壓二極管 Zener 1300mW 10v RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85C10 R0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標準包裝:5,000
BZX85C10 SB00018/E1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Zener Diode
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