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C3M0280090J

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • C3M0280090J
    C3M0280090J

    C3M0280090J

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • CREE

  • SOP

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨

  • C3M0280090J
    C3M0280090J

    C3M0280090J

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
C3M0280090J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 900V 11A
  • 制造商
  • cree/wolfspeed
  • 系列
  • C3M?
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 碳化硅 (SiC)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 11A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 360 毫歐 @ 7.5A,15V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.5V @ 1.2mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 9.5nC @ 15V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 150pF @ 600V
  • 功率 - 最大值
  • 50W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
  • 供應商器件封裝
  • D2PAK-7
  • 標準包裝
  • 50
C3M0280090J 技術(shù)參數(shù)
  • C3M0280090D 功能描述:MOSFET N-CH 900V 11.5A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 7.5A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.5nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):150pF @ 600V 功率 - 最大值:54W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C3M0120100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1000V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21.5nC @ 15V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散(最大值):83W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):155 毫歐 @ 15A,15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247-4L 封裝/外殼:TO-247-4 標準包裝:30 C3M0120100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管) 漏源電壓(Vdss):1000V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21.5nC @ 15V Vgs(最大值):+15V,-4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散(最大值):83W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):155 毫歐 @ 15A,15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 標準包裝:50 C3M0120090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):155 毫歐 @ 15A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.3nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應商器件封裝:D2PAK-7 標準包裝:1 C3M0120090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):155 毫歐 @ 15A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.3nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應商器件封裝:D2PAK-7 標準包裝:50 C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G C3PES-2618M C3PES-2636G C3PES-2636M C3PES-3406G C3PES-3406M
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