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C3M0120090J

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • C3M0120090J
    C3M0120090J

    C3M0120090J

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • CREE

  • SOP

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨

  • C3M0120090J
    C3M0120090J

    C3M0120090J

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

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  • 1
C3M0120090J PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 900V 22A
  • 制造商
  • cree/wolfspeed
  • 系列
  • C3M?
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 碳化硅 （SiC）
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 22A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 155 毫歐 @ 15A，15V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 3.5V @ 3mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 17.3nC @ 15V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 350pF @ 600V
  • 功率 - 最大值
  • 83W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D2PAK-7
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
C3M0120090J 技術(shù)參數(shù)
  • C3M0120090D 功能描述:900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:97W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C3M0075120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30.8A TO247-4 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30.8A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:119W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 封裝/外殼:TO-247-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C3M0075120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiC（碳化硅結(jié)晶體管） 漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.6W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0065100K 功能描述:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiCFET (Silicon Carbide) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 C3M0065100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiC（碳化硅結(jié)晶體管） 漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3P0304S-A C3P0406S-A C3P0604S-A C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G
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