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CSD18543Q3AT

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  • 型號(hào)
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  • 廠商
  • 封裝
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  • CSD18543Q3AT
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    CSD18543Q3AT

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：陳先生 13360533550

    電話：0755-83289799

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 17176

  • TI(德州儀器)

  • 22+

  • -

  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • CSD18543Q3AT
    CSD18543Q3AT

    CSD18543Q3AT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 321233

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫存，原裝正品

  • CSD18543Q3AT
    CSD18543Q3AT

    CSD18543Q3AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • Ti

  • (DNH)

  • 21

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD18543Q3AT
    CSD18543Q3AT

    CSD18543Q3AT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 321233

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫存，原裝正品

  • CSD18543Q3AT
    CSD18543Q3AT

    CSD18543Q3AT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室

  • 321233

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • CSD18543Q3AT
    CSD18543Q3AT

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  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 27200

  • TI

  • VSONP-8

  • 2022+

  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

  • CSD18543Q3AT
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    CSD18543Q3AT

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 30878

  • TI/德州儀器

  • VSONP-8

  • 2020+

  • -

  • 大中華區(qū)授權(quán)代理可接受訂貨

  • CSD18543Q3AT
    CSD18543Q3AT

    CSD18543Q3AT

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場(chǎng)D1棟26A

  • 50

  • Texas Instruments

  • VSONP-8

  • 22+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

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  • 1
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  • 功能描述
  • 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 12A（Ta），60A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 14.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 1150pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 66W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 15.6 毫歐 @ 12A，4.5V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSON（3.3x3.3）
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD18543Q3AT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18543Q3A 功能描述:60V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta），60A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:66W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15.6 毫歐 @ 12A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18542KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Ta），170A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5070pF @ 30V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18542KTT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5070pF @ 30V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18542KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:44 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5070pF @ 30V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18541F5T 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:777pF @ 30V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19531Q5AT CSD19532KTT CSD19532KTTT CSD19532Q5B CSD19532Q5BT CSD19533KCS CSD19533Q5A CSD19533Q5AT CSD19534KCS CSD19534Q5A CSD19534Q5AT CSD19535KCS CSD19535KTT
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