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CSD19531Q5AT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CSD19531Q5AT
    CSD19531Q5AT

    CSD19531Q5AT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19531Q5AT
    CSD19531Q5AT

    CSD19531Q5AT

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -
  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD19531Q5AT
    CSD19531Q5AT

    CSD19531Q5AT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3750

  • TEXAS INS

  • 帶卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD19531Q5AT
    CSD19531Q5AT

    CSD19531Q5AT

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 1000

  • TI/德州儀器

  • VSONP-8

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • CSD19531Q5AT
    CSD19531Q5AT

    CSD19531Q5AT

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • TI

  • 原廠原裝

  • 1706+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • CSD19531Q5AT
    CSD19531Q5AT

    CSD19531Q5AT

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • TI/德州儀器

  • VSONP-8

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • CSD19531Q5AT
    CSD19531Q5AT

    CSD19531Q5AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • Ti

  • (DQJ)

  • 20

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD19531Q5AT
    CSD19531Q5AT

    CSD19531Q5AT

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 250

  • TI

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 1.00536 USD,szpoweri...

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
CSD19531Q5AT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 100A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 6.4 毫歐 @ 16A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 48nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 3870pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 3.3W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSON(5x6)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD19531Q5AT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD19531Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.4 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19531KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.7 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3870pF @ 50V 功率 - 最大值:214W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19506KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):156nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12200pF @ 40V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19505KTT 功能描述:MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.1 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7920pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19505KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 100A,6V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7820pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19534Q5AT CSD19535KCS CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T CSD19538Q3A CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166
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