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CSD25480F3T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25480F3T
    CSD25480F3T

    CSD25480F3T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29101

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD25480F3T
    CSD25480F3T

    CSD25480F3T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD25480F3T
    CSD25480F3T

    CSD25480F3T

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：8296641615986789713

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 13000

  • TI/德州儀器

  • POSTAR-3

  • 20+

  • -

  • 只做原裝，假一賠十

  • CSD25480F3T
    CSD25480F3T

    CSD25480F3T

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Texas Instruments

  • -20V P-CHANNEL FEMTO

  • 22+

  • -

  • CSD25480F3T
    CSD25480F3T

    CSD25480F3T

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TI

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
CSD25480F3T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • -20V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • FemtoFET?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 1.7A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 110 毫歐 @ 400mA，8V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 0.91nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 155pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 3-PICOSTAR
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD25480F3T 技術(shù)參數(shù)
  • CSD25404Q3T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:104A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2120pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25404Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:104A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2120pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），96W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 10A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25402Q3A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 72A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:72A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25401Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11.7 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25310Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23.9 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:655pF @ 10V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V
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