CSD302410

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制造商
Pentair Technical Products / Hoffman
功能描述
ENCLOSURE, WALL MOUNT, STEEL, GRAY; Enclosure Type

CSD302410 技術(shù)參數(shù)

CSD30208 功能描述:BOX STEEL GRAY 30"L X 20"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售容器類型:盒大小/尺寸:30.000" 長 x 20.000" 寬（762.00mm x 508.00mm）高度:7.992"（203.00mm）面積（L x W）:600 in2（3871 cm2）設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T，蓋材料:金屬 - 鋼顏色:灰色厚度:16 號特性:密封墊，壁裝等級:IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級:- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送重量:44 磅（20kg）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25501F3T 功能描述:20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.6A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.33nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:385pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-LGA（0.73x0.64）封裝/外殼:3-XFLGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25485F5 功能描述:20V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:533pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 900mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25484F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25484F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.42nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M CSD44V CSD46V CSD4-7152/39-26-1A CSD4-7152/39-26-3A CSD4-7152/39-26-4A CSD4-7152/39-26-5A CSD4-7152/39-26-7A CSD4-7152/39-29-5B CSD4PC CSD56 CSD56V CSD58V