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CSD86350Q5DEVM-604

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CSD86350Q5DEVM-604
    CSD86350Q5DEVM-604

    CSD86350Q5DEVM-604

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD86350Q5DEVM-604
    CSD86350Q5DEVM-604

    CSD86350Q5DEVM-604

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 品牌IC供應(yīng)商 電話010-621049...

  • CSD86350Q5DEVM-604
    CSD86350Q5DEVM-604

    CSD86350Q5DEVM-604

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 百分百原裝 假一罰十

  • CSD86350Q5DEVM-604
    CSD86350Q5DEVM-604

    CSD86350Q5DEVM-604

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD86350Q5DEVM-604
    CSD86350Q5DEVM-604

    CSD86350Q5DEVM-604

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室

  • 2520

  • TIS

  • 原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • n/a

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨特價(jià)，停產(chǎn)偏冷優(yōu)勢(shì)供應(yīng)！數(shù)量需確...

  • CSD86350Q5DEVM-604
    CSD86350Q5DEVM-604

    CSD86350Q5DEVM-604

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1713室

  • 6700

  • TI

  • 18+

  • -

  • 原裝進(jìn)口，誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共16條 
  • 1
CSD86350Q5DEVM-604 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 電源管理IC開(kāi)發(fā)工具 Hi Density,Hi Crrnt Pwr Supply Sol
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Maxim Integrated
  • 產(chǎn)品
  • Evaluation Kits
  • 類型
  • Battery Management
  • 工具用于評(píng)估
  • MAX17710GB
  • 輸入電壓
  • 輸出電壓
  • 1.8 V
CSD86350Q5DEVM-604 技術(shù)參數(shù)
  • CSD86350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 12.5V 功率 - 最大值:13W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86330EVM-717 功能描述:CSD86330, TPS53219 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):有效 主要用途:DC/DC，步降 輸出和類型:1，非隔離 功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:5A 電壓 - 輸入:9 V ~ 13.2 V 穩(wěn)壓器拓?fù)?降壓 頻率 - 開(kāi)關(guān):500kHz 板類型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:CSD86330，TPS53219 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86311W1723 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 2A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:585pF @ 12.5V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:12-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:12-DSBGA（1.53x1.98） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12.4 毫歐 @ 10A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT
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