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CSD87355Q5DT

配單專家企業(yè)名單
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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 2988

  • AD

  • SOP

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • CSD87355Q5DT
    CSD87355Q5DT

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 320362

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • CSD87355Q5DT
    CSD87355Q5DT

    CSD87355Q5DT

  • 萬三科技（深圳）有限公司
    萬三科技（深圳）有限公司

    聯(lián)系人：張國龍

    電話：177226252410755-21008751

    地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • Texas Instruments

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -

  • 萬三科技 秉承原裝 實(shí)單可議

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    CSD87355Q5DT

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 320362

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • CSD87355Q5DT
    CSD87355Q5DT

    CSD87355Q5DT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 320362

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • CSD87355Q5DT
    CSD87355Q5DT

    CSD87355Q5DT

  • 萬三科技（深圳）有限公司
    萬三科技（深圳）有限公司

    聯(lián)系人：王俊杰

    電話：188185984650755-23763516

    地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • Texas Instruments

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -

  • 萬三科技 秉承原裝 實(shí)單可議

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CSD87355Q5DT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87355Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1860pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87353Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 歐姆 @ 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3190pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87352Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:8.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87351ZQ5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1255pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87351Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1255pF @ 15V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT CSD88584Q5DC CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD95372AQ5M CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT
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