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CSD16409Q3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD16409Q3
    CSD16409Q3

    CSD16409Q3

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 69200

  • TI

  • SON8

  • 18+

  • -

  • 全新原裝，優(yōu)勢庫存

  • CSD16409Q3
    CSD16409Q3

    CSD16409Q3

  • 深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
    深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人：金

    電話：0755-832599640755-23884416

    地址：中航北苑A座7A5

  • 9514

  • TI

  • N/A

  • 18+

  • -

  • 進口原裝特價出售

  • CSD16409Q3
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    CSD16409Q3

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 0

  • TI

  • SON-8

  • 原裝正品

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

  • CSD16409Q3
    CSD16409Q3

    CSD16409Q3

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • TI

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • CSD16409Q3
    CSD16409Q3

    CSD16409Q3

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

    電話：13138879988

    地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 10

  • TI

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 0.48026 USD,szpoweri...

CSD16409Q3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD16409Q3 技術參數(shù)
  • CSD16408Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 113A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），113A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON-EP（5x6） 標準包裝:1 CSD16408Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），113A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD16407Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON-EP（5x6） 標準包裝:1 CSD16407Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD16406Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T CSD17309Q3 CSD17310Q5A CSD17311Q5 CSD17312Q5 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T
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