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CSD16409Q3

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD16409Q3 技術(shù)參數(shù)
  • CSD16408Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 113A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta），113A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON-EP（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16408Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta），113A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16407Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON-EP（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16407Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16406Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Ta），60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T CSD17309Q3 CSD17310Q5A CSD17311Q5 CSD17312Q5 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T
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