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參數資料
| 型號： | C67078-S1316-A3 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶體管（N通道增強模式雪崩級） |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | C67078-S1316-A3 |
7
07/96
Semiconductor Group
BUZ 71 A
Not for new design
Gate threshold voltage
V
GS (th)
=
(T
j
)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= 1 mA
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
V
4.6
V
GS(th)
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
160
2%
typ
98%
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(T
j
)
parameter: I
D
= 9 A, V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
160
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
0.38
R
DS (on)
typ
98%
Typ. capacitances
C= f(V
DS
)
parameter:V
GS
= 0V, f= 1MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
40
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
nF
C
C
rss
C
iss
C
oss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(V
SD
)
parameter: T
j
, t
p
= 80 μs
-1
0.0
10
0
10
1
10
2
10
A
I
F
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C67078-S1316-A9 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
| C67078-S1317-A2 | SIPMOS Power Transistor |
| C67078-S1317-A3 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
| C67078-S1318-A2 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
| C67078-S1320-A3 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| C67078-S1316-A9 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
| C67078-S1317-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
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