參數(shù)資料
型號(hào): C8051F349-GQ
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù): 10/276頁
文件大小: 0K
描述: IC 8051 MCU FLASH 32K 32LQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: Serial Communication Overview
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 250
系列: C8051F34x
核心處理器: 8051
芯體尺寸: 8-位
速度: 25MHz
連通性: SMBus(2 線/I²C),SPI,UART/USART,USB
外圍設(shè)備: 欠壓檢測(cè)/復(fù)位,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 25
程序存儲(chǔ)器容量: 32KB(32K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
RAM 容量: 2.25K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 3.6 V
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 32-LQFP
包裝: 托盤
產(chǎn)品目錄頁面: 622 (CN2011-ZH PDF)
配用: 336-1748-ND - ADAPTER TOOLSTICK FOR C8051F34X
其它名稱: 336-1509
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Rev. 1.3
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C8051F340/1/2/3/4/5/6/7/8/9/A/B/C/D
12. Flash Memory
On-chip, re-programmable Flash memory is included for program code and non-volatile data storage. The
Flash memory can be programmed in-system through the C2 interface or by software using the MOVX
instruction. Once cleared to logic 0, a Flash bit must be erased to set it back to logic 1. Flash bytes would
typically be erased (set to 0xFF) before being reprogrammed. The write and erase operations are automat-
ically timed by hardware for proper execution; data polling to determine the end of the write/erase opera-
tion is not required. Code execution is stalled during a Flash write/erase operation. Refer to Table 12.1 for
complete Flash memory electrical characteristics.
12.1. Programming The Flash Memory
The simplest means of programming the Flash memory is through the C2 interface using programming
tools provided by Silicon Labs or a third party vendor. This is the only means for programming a non-initial-
ized device. For details on the C2 commands to program Flash memory, see Section “23. C2 Interface”
To ensure the integrity of Flash contents, it is strongly recommended that the VDD monitor be left
enabled in any system which writes or erases Flash memory from code. It is also crucial to ensure
that the FLRT bit in register FLSCL be set to '1' if a clock speed higher than 25 MHz is being used
for the device.
12.1.1. Flash Lock and Key Functions
Flash writes and erases by user software are protected with a lock and key function. The Flash Lock and
Key Register (FLKEY) must be written with the correct key codes, in sequence, before Flash operations
may be performed. The key codes are: 0xA5, 0xF1. The timing does not matter, but the codes must be
written in order. If the key codes are written out of order, or the wrong codes are written, Flash writes and
erases will be disabled until the next system reset. Flash writes and erases will also be disabled if a Flash
write or erase is attempted before the key codes have been written properly. The Flash lock resets after
each write or erase; the key codes must be written again before a following Flash operation can be per-
formed. The FLKEY register is detailed in SFR Definition 12.2.
12.1.2. Flash Erase Procedure
The Flash memory can be programmed by software using the MOVX write instruction with the address and
data byte to be programmed provided as normal operands. Before writing to Flash memory using MOVX,
Flash write operations must be enabled by: (1) Writing the Flash key codes in sequence to the Flash Lock
register (FLKEY); and (2) Setting the PSWE Program Store Write Enable bit (PSCTL.0) to logic 1 (this
directs the MOVX writes to target Flash memory). The PSWE bit remains set until cleared by software.
A write to Flash memory can clear bits to logic 0 but cannot set them; only an erase operation can set bits
to logic 1 in Flash. A byte location to be programmed must be erased before a new value is written.
The Flash memory is organized in 512-byte pages. The erase operation applies to an entire page (setting
all bytes in the page to 0xFF). To erase an entire 512-byte page, perform the following steps:
Step 1. Disable interrupts (recommended).
Step 2. Write the first key code to FLKEY: 0xA5.
Step 3. Write the second key code to FLKEY: 0xF1.
Step 4. Set the PSEE bit (register PSCTL).
Step 5. Set the PSWE bit (register PSCTL).
Step 6. Using the MOVX instruction, write a data byte to any location within the 512-byte page to
be erased.
Step 7. Clear the PSWE bit (register PSCTL).
Step 8. Clear the PSEE bit (register PSCTI).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P89LPC952FA,512 IC 80C51 MCU FLASH 8K 44-PLCC
1301970347 CONN SOCKET CONTACT 14AWG
MC9S08DN60VLF MCU 8BIT 60K FLASH 48-LQFP
MC9S08DN48ACLH MCU 8BIT 48K FLASH 64-LQFP
MC9S08AC48MFUE MCU 8BIT 48K FLASH 64-QFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
C8051F349-GQR 功能描述:8位微控制器 -MCU 25 MIPS 32KB USB MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
C8051F34A 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:USB DRIVER CUSTOMIZATION
C8051F34A-GM 功能描述:8位微控制器 -MCU 64KB 10ADC 2xUART USB 32Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
C8051F34A-GMR 功能描述:8位微控制器 -MCU 48 MIPS 64KB 10ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
C8051F34A-GQ 功能描述:8位微控制器 -MCU 48 MIPS 64KB 10ADC 2xUART USB 32Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT