詳細(xì)信息
本產(chǎn)品采用進(jìn)口雙面金屬化薄膜制作，品質(zhì)可替代歐美進(jìn)口電容，節(jié)約成本，交期短，如有需要，價格具體再細(xì)談！
IGBT吸收電容
產(chǎn)品特點：采用進(jìn)口雙面金屬化薄膜、無感結(jié)構(gòu)、低等效串聯(lián)電感、可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電，ESR小，具有自愈性等。
廣泛用于：變頻器、SVG、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風(fēng)力發(fā)電變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設(shè)計，適用所有IGBT模塊區(qū)域尖峰電壓的吸收保護(hù)
| 額定電壓 | 2100VAC |
| 額定容量 | 0.5μF~10μF |
| 溫度范圍 | -40°C~85°C |
| 容量偏差 | ±5%, |
| 極間耐電壓 | 1.6Ur(DC) 10s 25±5℃ |
| 極殼耐電壓 | 3000V 50Hz 60S, 25±5℃ |
| 損耗角正切 | Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr＞1.0μF tgδ≤6×10-4 |
| 絕緣電阻 | C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S |