• CBB106K800V電容黑盒電容/igbt吸收高頻濾波電容10uf800v焊機(jī)電容

      品牌:同飛 | 型號:CBB61 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002( | 額定電壓:450(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:10UF

    • 50-99 PCS

      ¥8.00

    • 100-499 PCS

      ¥6.00

    • ≥500 PCS

      ¥5.00

    • 詢 價(jià)
    • IGBT無感吸收電容1200V 1UF

      品牌:同飛 | 型號:CBB15 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:補(bǔ)償 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002 | 額定電壓:350(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:1UF

    • 50-999 PCS

      ¥8.00

    • 1000-4999 PCS

      ¥7.50

    • ≥5000 PCS

      ¥7.00

    • 詢 價(jià)
    • IGBT焊機(jī)吸收電容1200VDC-1uF

      品牌:同飛 | 型號:CBB15 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:補(bǔ)償 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002 | 額定電壓:350(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:1UF

    • 50-999 PCS

      ¥10.00

    • 1000-4999 PCS

      ¥9.50

    • ≥5000 PCS

      ¥9.00

    • 詢 價(jià)
    • 1.5UF 1200VDC IGBT突波吸收盒裝電容 IGBT尖峰保護(hù)電容

      品牌:同飛 | 型號:CBB15 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002 | 額定電壓:1200(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:1.5

    • 30-49 PCS

      ¥15.00

    • 50-199 PCS

      ¥14.00

    • ≥200 PCS

      ¥13.00

    • 詢 價(jià)
    • 音頻電容 無感式IGBT吸收電容器105K630V

      品牌:PB | 型號:CBB20 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:補(bǔ)償 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:微調(diào) | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:450(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1500(mΩ) | 損耗:0.0001 | 額定電壓:900(V) | 絕緣電阻:10(mΩ) | 溫度系數(shù):25/70/21 | 標(biāo)稱容量:1

    • 500-999 PCS

      ¥1.96

    • 1000-4999 PCS

      ¥1.90

    • ≥5000 PCS

      ¥1.80

    • 詢 價(jià)
    • 變頻器軟啟動電容IGBT吸收電容 合作共贏

      品牌:xlp | 型號:CBB80D | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:調(diào)諧 | 外形:圓柱形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:變頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:2500(V) | 損耗:小于等于0.06% | 額定電壓:2100(V) | 溫度系數(shù):-40°C~85°C | 標(biāo)稱容量:2100V1uF

    • 10-99 PCS

      ¥50.00

    • ≥100 PCS

      ¥40.00

    • 詢 價(jià)
    • IGBT緩沖電容 無感吸收保護(hù)、高紋波電路0.1UF1200V

      品牌:YAGEO/國巨 | 型號:0.1UF2000V | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:2000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):800(mΩ) | 標(biāo)稱容量:0.1UF(uF) | 損耗:0 | 額定電壓:2000(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數(shù):-55℃~+105℃

    • ≥50 PCS

      ¥3.30

    • 詢 價(jià)
    • 音頻電容 無感式IGBT吸收電容器105K630V

      品牌:法拉 | 型號:CBB20 105K630V | 介質(zhì)材料:金屬化紙介 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:圓片形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:630(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):0(mΩ) | 標(biāo)稱容量:1(uF) | 損耗:0 | 額定電壓:630(V) | 絕緣電阻:0(mΩ) | 溫度系數(shù):100

    • 1-99 PCS

      ¥2.00

    • 100-999 PCS

      ¥1.20

    • ≥1000 PCS

      ¥0.90

    • 詢 價(jià)
    • 21N50 21N50ES FMR21N50 FMR21N50ES

      品牌:FUJI/富士通 | 型號:FMR21N50ES | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5

    • ≥1 個(gè)

      ¥0.10

    • 詢 價(jià)
    • PLDTC 700-3000Vdc高壓電容

      品牌:PULOM | 型號:STC 700-3000Vdc high du/dt for IGBT snubbe radial | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:自舉 | 外形:長方形 | 功率特性:大功率 | 耐壓值:3000(V) | 額定電壓:700-3000(V)

    • 詢 價(jià)
    • IR2166

      品牌:IR/國際整流器 | 型號:IR2166 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極

    • ≥1 個(gè)

      ¥0.80

    • 詢 價(jià)
    • 場效應(yīng)SSM10N05,SSM10N08

      品牌:其他 | 型號:SSM10N05,SSM10N08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5

    • ≥100 個(gè)

      ¥0.40

    • 詢 價(jià)
    • 場效應(yīng)2SK1382

      品牌:其他 | 型號:2SK1382 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):55

    • ≥100 千克

      ¥0.50

    • 詢 價(jià)
    • MKP-IGBT 無感吸收電容 1200v 1.5uf

      品牌:同飛 | 型號:CBB15 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002 | 額定電壓:1200(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:1.5UF

    • 30-49 PCS

      ¥15.00

    • 50-199 PCS

      ¥14.00

    • ≥200 PCS

      ¥13.00

    • 詢 價(jià)
    • 無感箔式電容 PPS電容 CBB81 682J 6.8Nf P15 IGBT模塊

      品牌:眾源泰 | 型號:CBB81 682J1000V P=15 PPS | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1600(V) | 標(biāo)稱容量:0.0068(uF) | 損耗:≤0.0010 10KHz 20℃ | 額定電壓:1000(V) | 絕緣電阻:3000(mΩ) | 溫度系數(shù):-40--+85℃/105℃

    • ≥2000 PCS

      ¥0.27

    • 詢 價(jià)
    • 直插貼片BU1924F,BU1924國產(chǎn)

      品牌:其他 | 型號:BU1924F,BU1924 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5 | 低頻跨導(dǎo):5

    • ≥1 千克

      ¥1.00

    • 詢 價(jià)
    • 直插貼片TA2003國產(chǎn)

      品牌:其他 | 型號:TA2003 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5

    • ≥100 個(gè)

      ¥0.40

    • 詢 價(jià)
    • STP4NK80,P4NK80Z

      品牌:其他 | 型號:STP4NK80ZP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5

    • ≥100 千克

      ¥2.50

    • 詢 價(jià)
    • 場效應(yīng)IRF7341,7341

      品牌:其他 | 型號:IRF7341,7341 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):55 | 低頻跨導(dǎo):5

    • ≥100 個(gè)

      ¥0.40

    • 詢 價(jià)