品牌:同飛 | 型號:CBB61 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002( | 額定電壓:450(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:10UF
50-99 PCS
¥8.00
100-499 PCS
¥6.00
≥500 PCS
¥5.00
品牌:同飛 | 型號:CBB15 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:補(bǔ)償 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002 | 額定電壓:350(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:1UF
50-999 PCS
¥8.00
1000-4999 PCS
¥7.50
≥5000 PCS
¥7.00
品牌:同飛 | 型號:CBB15 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:補(bǔ)償 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002 | 額定電壓:350(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:1UF
50-999 PCS
¥10.00
1000-4999 PCS
¥9.50
≥5000 PCS
¥9.00
品牌:同飛 | 型號:CBB15 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002 | 額定電壓:1200(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:1.5
30-49 PCS
¥15.00
50-199 PCS
¥14.00
≥200 PCS
¥13.00
品牌:PB | 型號:CBB20 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:補(bǔ)償 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:微調(diào) | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:450(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1500(mΩ) | 損耗:0.0001 | 額定電壓:900(V) | 絕緣電阻:10(mΩ) | 溫度系數(shù):25/70/21 | 標(biāo)稱容量:1
500-999 PCS
¥1.96
1000-4999 PCS
¥1.90
≥5000 PCS
¥1.80
品牌:騰瑞電子 | 型號:CBB20 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:圓柱形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:微調(diào) | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.5(%) | 耐壓值:2000(V)
≥100 PCS
¥0.01
品牌:xlp | 型號:CBB80D | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:調(diào)諧 | 外形:圓柱形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:變頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:2500(V) | 損耗:小于等于0.06% | 額定電壓:2100(V) | 溫度系數(shù):-40°C~85°C | 標(biāo)稱容量:2100V1uF
10-99 PCS
¥50.00
≥100 PCS
¥40.00
品牌:YAGEO/國巨 | 型號:0.1UF2000V | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:2000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):800(mΩ) | 標(biāo)稱容量:0.1UF(uF) | 損耗:0 | 額定電壓:2000(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數(shù):-55℃~+105℃
≥50 PCS
¥3.30
品牌:法拉 | 型號:CBB20 105K630V | 介質(zhì)材料:金屬化紙介 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:圓片形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:630(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):0(mΩ) | 標(biāo)稱容量:1(uF) | 損耗:0 | 額定電壓:630(V) | 絕緣電阻:0(mΩ) | 溫度系數(shù):100
1-99 PCS
¥2.00
100-999 PCS
¥1.20
≥1000 PCS
¥0.90
品牌:FUJI/富士通 | 型號:FMR21N50ES | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5
≥1 個(gè)
¥0.10
品牌:PULOM | 型號:STC 700-3000Vdc high du/dt for IGBT snubbe radial | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:自舉 | 外形:長方形 | 功率特性:大功率 | 耐壓值:3000(V) | 額定電壓:700-3000(V)
品牌:其他 | 型號:SSM10N05,SSM10N08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5
≥100 個(gè)
¥0.40
品牌:其他 | 型號:2SK1382 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):55
≥100 千克
¥0.50
品牌:同飛 | 型號:CBB15 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:圓柱形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1000(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):680(mΩ) | 損耗:tgδ≤0.002 | 額定電壓:1200(V) | 絕緣電阻:≥3000S(mΩ) | 溫度系數(shù):40/70/21 或40/85/21 | 標(biāo)稱容量:1.5UF
30-49 PCS
¥15.00
50-199 PCS
¥14.00
≥200 PCS
¥13.00
品牌:眾源泰 | 型號:CBB81 682J1000V P=15 PPS | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:1600(V) | 標(biāo)稱容量:0.0068(uF) | 損耗:≤0.0010 10KHz 20℃ | 額定電壓:1000(V) | 絕緣電阻:3000(mΩ) | 溫度系數(shù):-40--+85℃/105℃
≥2000 PCS
¥0.27
品牌:其他 | 型號:BU1924F,BU1924 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5 | 低頻跨導(dǎo):5
≥1 千克
¥1.00
品牌:其他 | 型號:TA2003 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5
≥100 個(gè)
¥0.40
品牌:其他 | 型號:STP4NK80ZP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5
≥100 千克
¥2.50
品牌:其他 | 型號:IRF7341,7341 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:C-MIC/電容話筒專用 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):55 | 低頻跨導(dǎo):5
≥100 個(gè)
¥0.40