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  1. 5n60場效應(yīng)管
    • 士蘭微場效應(yīng)MOS管SVF5N60F TO-220F

      品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

    • 1-49 個

      ¥1.23

    • 50-999 個

      ¥1.10

    • ≥1000 個

      ¥1.01

    • 詢 價
    • CS5N60F 5N60 TO-220F

      品牌:華晶 | 型號:CS5N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1000 個

      ¥1.00

    • 詢 價
    • 充電器專用功率管 11N60CFD 11A600V

      品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:11N60 11N60C3 11N60S5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HA/行輸出級 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • ≥1000 個

      ¥1.00

    • 詢 價
    • 2n60,3n60,4n60,5n60

      品牌:仙童,ST | 型號:2n60,3n60,4n60,5n60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥2000 個

      ¥0.40

    • 詢 價
    • 士蘭MOS管 SVD5N60 5A 600VTO-220 TO-263 TO-262

      品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • ≥1 個

      ¥1.00

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    • SPD04N60S5 SPD03N60S5 SPD03N50C3 SPD02N60S5 SPD14N06S2-80

      品牌:InterFET美國 | 型號:SPD04N60S5 SPD03N60S5 SPD03N50C3 SPD02N60S5 SPD14N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

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    • 場效應(yīng)管: STW12NA50 進(jìn)口 STW77N60M5

      品牌:ST/意法 | 型號:STW12NA50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

    • ≥1 個

      ¥0.10

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    • RJH60F5DPK

      類型:其他IC | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:RJH60F5DPK | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

    • ≥1 個

      ¥1.00

    • 詢 價
    • MOSFET 仙童 FQP5N60C TO-220F

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥100 個

      ¥1.42

    • 詢 價
    • SPP20N60S5

      品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPP20N60S5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1 個

      ¥0.10

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    • STU60N3LH5場效應(yīng)Mos管系列,ST

      品牌:ST/意法 | 型號:STU60N3LH5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物,MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

    • ≥5 個

      ¥0.10

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    • STP60N3LH5場效應(yīng)Mos管系列,ST

      品牌:ST/意法 | 型號:STP60N3LH5 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物,MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

    • ≥5 個

      ¥0.10

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