應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:A1451 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:A1444 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型，TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:進口 | 型號:A1443 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:TO-220 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:RN1307-XH | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:ON/安森美 | 型號:MJE350G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-`126

品牌:ON/安森美 | 型號:MC7805ACT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:ST/意法 | 型號:L79L12ACZ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-92

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KA7905 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KA78T12 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:TO-220 | 應(yīng)用范圍:磁敏

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N3904 2N3906 2N5401 2N5551 A42 A92 A44 A94 M28S B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 封裝材料:金屬封裝

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5144 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 用途:GEP/互補類型 | 溝道類型:P溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 導(dǎo)電方式:增強型 | 低頻噪聲系數(shù):21 | 極間電容:03

應(yīng)用范圍:差分 | 品牌:ST/意法 | 型號:BD135 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:12.5 | 擊穿電壓VCBO:45 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:0 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:MJE3055T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220

應(yīng)用范圍:差分 | 品牌:ST/意法 | 型號:BD140 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:12.5 | 擊穿電壓VCBO:80 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:0 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否