應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MJE3055T | 材料:硅(SI) | 封裝形式:TO-220-3

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJE3055T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220-3

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:MJE3055T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MEJ3055T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJE3055T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220-3

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJE2955T MJE3055T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJE3055T，MJE2955T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220-3

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:MJE3055T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:75 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:60

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJE3055T | 材料:硅(Si) | 備注:N | 用途:N | 產(chǎn)品類型:其他 | 是否進口:是 | 主要參數(shù):N | 加工定制:是

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MJE3055T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:SEC | 型號:E3055T，MJE3055T | 材料:硅(Si) | 擊穿電壓VCBO:70 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 是否提供加工定制:是

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJE2955T/MJE3055T TO-220 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):肖特基 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否