應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJ2955 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3鐵帽
≥100 PCS
¥2.50
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BU208A | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:DIP | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 用途:NF/音頻(低頻) | 種類:絕緣柵(MOSFET)
10-199 個
¥16.00
200-1999 個
¥14.80
≥2000 個
¥12.80
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BU208A | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:DIP | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 用途:NF/音頻(低頻) | 種類:絕緣柵(MOSFET)
10-199 個
¥11.00
200-1999 個
¥10.00
≥2000 個
¥8.90
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON安森美 | 型號:MJ11015 | 材料:硅 | 封裝形式:TO-3
≥1 PCS
¥3.50
≥50 個
¥3.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:BT33F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3
≥40 PCS
¥1.30
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:BT33F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:DIP
≥1 PCS
¥0.92
類型:其他IC | 品牌:ST | 型號:BT33F | 用途:單結(jié)晶體管 | 封裝:鐵帽 | 批號:2013+
≥1 PCS
¥1.10
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:其他 | 型號:2N3440 | 封裝形式:CAN3
≥1 個
¥4.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:2N2219A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-39
10-499 PCS
¥4.00
≥500 PCS
¥3.50
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:其他 | 型號:2N5884 | 封裝形式:TO-3
≥50 個
¥4.50
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Motorola/摩托羅拉 | 型號:MJ11016 | 封裝形式:TO-3
1-49 個
¥5.00
≥50 個
¥4.80
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:2N3055 | 材料:硅 | 封裝形式:TO-3 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1
≥1000 PCS
¥2.50
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:2N3055 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
≥1000 PCS
¥1.25
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BC107B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-18 | 集電極最大耗散功率PCM:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:20
≥10 PCS
¥3.00
應(yīng)用范圍:微波 | 品牌:ST/意法 | 型號:2N3055 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-3鐵帽
應(yīng)用范圍:微波 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJ15003G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-3
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:JM | 型號:2SC2246 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:2n3055 | 封裝形式:TO-3 | 集電極最大耗散功率PCM:100 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
≥100 PCS
¥1.50