應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:MMBT3906 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
≥1 PCS
¥18.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3906 2A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
≥3000 PCS
¥0.03
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3906-2A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.35 | 擊穿電壓VCBO:40 | 集電極最大允許電流ICM:0.2 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:250 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是
≥3000 PCS
¥0.03
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:SEMTECH/先科 | 型號:MMBT3906 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.35 | 擊穿電壓VCBO:-40 | 集電極最大允許電流ICM:-0.2 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:250 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是
30000-2999999 PCS
¥0.04
≥3000000 PCS
¥0.03
應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT3906LT1G MM3Z16VT1G DTC114EET1G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:塑料封裝
≥1 PCS
¥0.07
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3906 SOT-23 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否
≥1 PCS
¥0.05
產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:MMBT3906 SOT-23 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SOT-23 | 應(yīng)用范圍:放大
≥1 PCS
¥0.07
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:MMBT3906 SOT-23 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否
≥1 PCS
¥0.05
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:SEMTECH/先科 | 型號:MMBT3906 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:ST先科一級代理 | 擊穿電壓VCBO:ST先科一級代理 | 集電極最大允許電流ICM:ST先科一級代理 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:ST先科一級代理 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:ST先科一級代理
3000-8999 PCS
¥0.03
≥9000 PCS
¥0.02
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:MMBT3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:10 | 集電極最大允許電流ICM:400 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:60 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是
≥3 K
¥0.03
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT3906LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:SOT-23
≥10 PCS
¥1.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT3906LT1 | 類型:其他IC | 批號:14+ | 封裝:SOT23
≥100 PCS
¥0.01
產(chǎn)品類型:PIN管 | 是否進(jìn)口:否 | 品牌:長電 | 型號:3906 | 材料:鍺(Ge) | 用途:廣泛 | 主要參數(shù):低頻 | 是否提供加工定制:是
≥1 K
¥1.00