NTHD4P02FT1G/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET+肖特基二極管SBD/ON

批發(fā)數(shù)量 ≥3000
梯度價格 1.20
型號
NTHD4P02FT1G
品牌
ON/安森美
種類
絕緣柵(MOSFET)
溝道類型
MOSFET P 通道,金屬氧化物
導(dǎo)電方式
增強型
用途
UNI/一般用途
材料
N-FET硅N溝道
最大耗散功率PD
1.1W
SBD參數(shù)
Vrrm=20V,Io=2.2A
MOSFET參數(shù)
Vdss=-20V,Id=-2.2A


【產(chǎn)品展示圖】
 
 
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【產(chǎn)品參數(shù)】
 
 
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【交易說明】
 
1.由于商品型號繁多且市場價格時有變動,實無法標(biāo)出準(zhǔn)確價格,因此網(wǎng)上標(biāo)價均為批量批發(fā)的參考價格,準(zhǔn)確人民幣價格需請另詢價,如有不便,敬請見諒!
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【品質(zhì)保證】
 
我司鄭重承諾所售產(chǎn)品均為全新原裝;
 
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【竭誠服務(wù)】
 
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