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- IRFP460 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-247 進(jìn)口VISHAY
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfp460場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- 1-99 個(gè)
  
  ￥4.90
- ≥100 個(gè)
  
  ￥4.85
- 詢價(jià)
- 華晶微電子MOS管7N65讓利活動(dòng)回饋客戶，100000
  
  類型:驅(qū)動(dòng)IC | 品牌:通嘉 | 型號(hào):LD7535 | 針腳數(shù):8 | 封裝:SOP-8 | 批號(hào):15+
- ≥1000 PCS
  
  ￥0.90
- 詢價(jià)
- MOS管FHF12N65/12N65
  
  類型:通信IC | 品牌:FHF | 型號(hào):FHF12N65 | 封裝:DIP | 批號(hào):12+
- 詢價(jià)
- AO3401AL AO P溝道增強(qiáng)模式MOSFET 4A 30V SOT23 場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AO | 型號(hào):AO3401AL | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 整盤數(shù)量:3000PCS
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： sot23場(chǎng)效應(yīng) ao場(chǎng)效應(yīng)管 sot23場(chǎng)效應(yīng)管
- 300-999 個(gè)
  
  ￥0.50
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.30
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.18
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 7N60 TO-220
  
  類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):7N60 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝:TO-220F | 最大漏極電流:7 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數(shù):7
- 1000-4999 個(gè)
  
  ￥0.95
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.90
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管/MOS管 AOS萬代 AO9926B SO-8 AOS 環(huán)保
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO9926B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
- ≥3000 PCS
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- MOS管　場(chǎng)效應(yīng)管　IRFB4115PBF
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4115PBF | 封裝:TO-220 | 批號(hào):11+
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- XP4878/復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 50V 100mA SOT-363/松下
  
  品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):XP0487800LS0(XP4878) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SYM/對(duì)稱類 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 千克
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- IRF830 IR場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道功率MOS管
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 irf830場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- SI2333DS-T1-E3/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2333DS-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.75W | 最大漏極電流ID:-4.1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- SI3433DV/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3433DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-4.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：威世m(xù)os管 p場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- SI3441DV/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET -20V -3.3A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:SILICON | 型號(hào):SI3441DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 3a場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- SI2301ADS/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2301ADS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:-1.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- SI1023X/復(fù)合雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 20V 390mA SOT-563/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1023X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管，MOS管，2SK2865
  
  類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2865 | 封裝:TO-251 | 批號(hào):12+
- ≥5 PCS
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- AOS美國(guó)萬代 AOD4132 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOD4132 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos代理 aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管
- 10-99 個(gè)
  
  ￥1.50
- 100-2499 個(gè)
  
  ￥1.40
- ≥2500 個(gè)
  
  ￥1.35
- 詢價(jià)
- AOS美國(guó)萬代 AO8830 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO8830 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： ao場(chǎng)效應(yīng)管 aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.45
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.42
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- V30324-T1-E3/雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 20V 0.7A/SOT-363/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):V30324-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 vishay場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)
- UPA611TA/雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 30V 0.1A SOT-163/高速開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA611TA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- UM6K1/30V 0.1A/雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):UM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 rohm場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.28
- 詢價(jià)

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