參數(shù)資料
型號(hào): CMBT3903
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 40V的五(巴西)總裁| 200mA的一(c)|至236AA
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
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代理商: CMBT3903
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMBT3904 TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
CMBT4123 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
CMBT4124 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
CMBT4125 TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
CMBT4126 TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CMBT3904 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN,0.2A,40V GenPur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT3904E 功能描述:兩極晶體管 - BJT SMD Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CMBT3904E TR 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMBT3904E Series SOT-923 40V 200mA Surface Mount Bipolar Transistor
CMBT3904E_10 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMBT3904-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.2A 40V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2