參數(shù)資料
型號(hào): CPH6122
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
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代理商: CPH6122
CPH6122
No.7225-2/4
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Ratings
typ
--0.83
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Bass Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1.5A, IB=--30mA
IC=--10
μ
A, IE=0
IC=--1mA, RBE=
IE=--10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--1.2
V
V
V
V
ns
ns
ns
--30
--30
--5
50
270
27
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
-3mA
IT04554
IC -- VBE
IT04555
fT -- IC
IT04557
G
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
hFE -- IC
C
Bass-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
Collector Current, IC -- A
IT04556
D
Collector Current, IC -- A
0
0
--0.6
--0.4
--0.2
--0.8
--1.2
--1.4
--1.6
--2.0
--1.8
--0.2
--1.0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
-m
--10mA
--8mA
--6mA
--4mA
--2mA
-20mA
-4m
IB=0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--3.0
--2.5
T5
°
C
2
°
C
-
°
C
VCE= --2V
--0.01
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.1
--1.0
2
3
5
7--10
100
10
1000
2
3
5
7
2
3
5
7
VCE= --2V
--25
°
C
25
°
C
Ta=75
°
C
--0.01
2
3
5
7
2
3
5
2
3
5
7
--0.1
--1.0
7
100
2
5
3
VCE= --10V
VR
RB
VCC= --12V
VBE=5V
--20IB1=20IB2=IC= --500mA
+
+
50
INPUT
OUTPUT
24
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
1%
IB1
IB2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH6414
CPH6415
CPH6601
CPH6603
CPH6604
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參數(shù)描述
CPH6122_06 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
CPH6122-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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CPH6153 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Load Switch Applications