參數(shù)資料
型號： CPH6619
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device
中文描述： N溝道和P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： CPH6619
CPH6619
No. A0473-3/7
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
4V
0V
VIN
VIN
P.G
50
G
S
ID=150mA
RL=100
VDD=15V
VOUT
D
CPH6619
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
0V
--4.5V
VIN
VIN
P.G
50
G
S
ID= --1A
RL=6.0
VDD= --6V
VOUT
D
CPH6619
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
ID -- VGS
D
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID -- VDS
D
0
0
0.02
0.2
0.06
0.04
0.08
0.4
0.10
0.12
0.14
0.16
0.6
0.8
1.0
VGS=1.5V
20V
25V
4.0V
3.5V
30V
6V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.15
0.10
0.05
0.30
0.25
0.20
2.5
3.0
VDS=10V
T=2
°
C
5
°
C
5
°
C
IT00029
[Nch]
IT00030
[Nch]
Drain Current, ID -- A
S
O
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
S
O
0
0
1
2
1
3
4
2
5
6
3
4
5
6
7
8
9
10
7
8
9
10
Ta=25
°
C
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
10
7
5
3
2
1.0
1.0
25
°
C
--25
°
C
Ta=75
°
C
IT00031
IT00032
VGS=4V
40mA
ID=80mA
[Nch]
[Nch]
Switching Time Test Circuit
[N-channel]
[P-channel]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH6623 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6901 N-Channel Silicon Junction FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Differential Amplifier, Analog Switch Applications
CR-F33P PFM STEP-UP DC/DC CONVERTER
CR-F33T PFM STEP-UP DC/DC CONVERTER
CR1225 CR1225
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參數(shù)描述
CPH6619-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:P+N 12V 2A CPH6 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET NP CH SOT346 制造商:Sanyo 功能描述:0
CPH6621 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6622 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6623 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
CPH6635-TL-H 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V，20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:400mA，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 80mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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